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L'antimoniure d'indium (InSb) est un semi-conducteur utilisé dans les détecteurs infrarouges, l'imagerie thermique ou l'astronomie. Calculez sa résistivité p. à température ambiante (300 K) et à 100 °C. Properties of Some Common Semiconductors at Room Temperature (300 K) Hole mobility, Ph [m²/(V-s)] Material Si Ge CdS GaAs InSb Energy gap. Eg (eV) 1.107 0.66 2.59⁰ 1.47 0.17 Solució: 300 K, p= Electron mobility, He [m²/(V-s)] 0.140 0.364 0.034 0.720 8.00 0.038 0.190 0.0018 0.020 0.045 100°C. p= Carrier density, ne (= nh) (m-³) 14 x 1015 23 x 1018 1.4 x 10¹2 13.5 x 1021
L'antimoniure d'indium (InSb) est un semi-conducteur utilisé dans les détecteurs infrarouges, l'imagerie thermique ou l'astronomie. Calculez sa résistivité p. à température ambiante (300 K) et à 100 °C. Properties of Some Common Semiconductors at Room Temperature (300 K) Hole mobility, Ph [m²/(V-s)] Material Si Ge CdS GaAs InSb Energy gap. Eg (eV) 1.107 0.66 2.59⁰ 1.47 0.17 Solució: 300 K, p= Electron mobility, He [m²/(V-s)] 0.140 0.364 0.034 0.720 8.00 0.038 0.190 0.0018 0.020 0.045 100°C. p= Carrier density, ne (= nh) (m-³) 14 x 1015 23 x 1018 1.4 x 10¹2 13.5 x 1021